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在硅中分別摻雜其他兩類微量雜質可相應形成P型和N型半導體。這樣可制出以空穴或電子為多數載流子導電的非本征半導體。硅本身具有鉆石結晶構造，若在特定方向軸上施加機械力（壓力或拉力），晶體內部會產生畸變。這一畸變又導致晶體內部能級構造的變化，并進一步導致載流子相對能量的變化，從而導致晶體固有電阻率的變化。這種半導體晶體承受機械力后其電阻值增加或減少的現象稱為壓阻效應。 
光電開關傳感器根據半導體材料的壓組效應，在半導體材料的基片上經擴散電阻而制成。其基片可直接作為測量光電開關傳感器元件，擴散電阻在基片內接成電橋形式。當基片受到威力作用而產生形變時，各電阻值將發(fā)生變化，使電橋產生相應的不平衡輸出。
用作壓阻式傳感器的基片（或稱膜片）材料主要為硅片和鍺片，硅片為敏感材料，制成的硅片壓阻光電開關傳感器受到人們的重視，尤其是以測壓力和速度的固態(tài)壓阻式光電開關傳感器應用最為普遍。
1、光電開關系數
2、影響光電開關系數的因素
3、光電開關器件
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